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14纳米!台积电官宣下一代半导体先进制程技术

2025-04-28  

  4月24日,台积电在其举办的2025年北美技术论坛上曝光了下一世代先进逻辑制程技术A14(即1.4nm制程技术)。台积电表示,A14制程技术计划于2028年开始生产,截至目前开发进展顺利,良率表现优于预期进度。

  据悉,与2025年稍晚时间进入量产的N2制程相比,A14将在相同功耗下,提升15%的速度;或在相同速度下,降低30%的功率,同时逻辑密度增加超过20%。台积电将其TSMC NanoFlex标准单元架构发展为NanoFlex Pro,以实现更好的效能、能源效率和设计灵活性。

  台积电表示,A14制程技术体现了公司在N2制程上的重大进展,此技术旨在通过提供更快的运算和更好的能源效率来推动人工智能(AI)转型,并有望通过增强终端AI功能(on-board AI capabilities)来强化智能手机功能。

  台积电董事长魏哲家表示:“我们的客户不断展望未来,而台积电的先进技术和制造为他们提供了可靠的创新蓝图。台积电的先进逻辑技术,例如A14,是连接实体和数字世界的全方位解决方案组合的一部分,促进客户创新,推动AI未来。”

  值得关注的是,此次除了A14,台积电还发布了新的逻辑制程、特殊制程、先进封装和3D芯片堆栈技术,应用于高性能计算(HPC)、智能手机、汽车和物联网(IoT)等领域。

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  具体来看,在高性能计算领域,台积电持续推进晶圆上芯片基板(CoWoS) 技术,计划于2027年实现9.5reticle size CoWoS 的量产,将12个或更多HBM堆栈与台积电领先的逻辑技术集成在一个封装中。在智能手机领域,台积电通过其最新一代的射频技术N4C RF支持边缘设备满足AI需求。N4C RF技术计划在2026年第一季度进入试产。在汽车领域,台积公司通过N3A制程满足客户需求,目前N3A正处于AEC-Q100第一级验证的最后阶段,并不断改良。在物联网领域,台积电表示,公司先前公布的超低功耗N6e制程进入生产,其将继续推动N4e拓展未来边缘AI的能源效率极限。

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